Q62703-Q1095
| Model | Q62703-Q1095 |
| Description | GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm |
| PDF file | Total 5 pages (File size: 45K) |
| Chip Manufacturer | INFINEON |
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 487
Area not flat
0.7
0.4
0.6
0.4
5.2
4.5
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
4.1
3.9
4.0
3.6
Approx. weight 0.3 g
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
q
Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-
und Videogeräten, Lichtdimmern
q
Lichtschranken bis 500 kHz
Features
q
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
Good spectral match to silicon
photodetectors
q
Same package as SFH 309, SFH 409
Applications
q
IR remote control for hifi and TV sets, video
tape recorder, dimmers
q
Light-reflection switches (max. 500 kHz)
Typ
Type
SFH 487
SFH 487-2
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1095
Q62703-Q2174
Gehäuse
Package
3-mm-LED-Gehäuse (T1), klares violettes Epoxy-
Gieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ
3 mm LED package (T1), violet-colored transparent
epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’),
anode marking: short lead
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06250
1.8
1.2
29
6.3
5.9
27
Cathode (SFH 409)
Anode (SFH 487)
ø3.1
ø2.9
(3.5)
Chip position
0.6
0.4
GEX06250
