Q62703-Q1819
| Model | Q62703-Q1819 |
| Description | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| PDF file | Total 4 pages (File size: 38K) |
| Chip Manufacturer | INFINEON |
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 274
Area not flat
0.6
0.4
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
ø5.1
ø4.8
5.9
5.5
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Sehr enger Abstrahlwinkel
q
GaAs-IR-LED, hergestellt im
q
q
q
q
Features
q
Extremely narrow half angle
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
q
q
q
q
Schmelzepitaxieverfahren
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Impulsbelastbarkeit
Gruppiert lieferbar
Gehäusegleich mit SFH 484
liquid phase epitaxy process
High reliability
High pulse handling capability
Available in groups
Same package as SFH 484
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Geräten
Typ
Type
LD 274
LD 274-2
1)
LD 274-3
1)
1)
tape recorders, dimmers,
of various equipment
Gehäuse
Package
5-mm-LED-Gehäuse (T 1
3
/
4
), graugetöntes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), grey colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode
marking: shorter solder lead, flat
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1031
Q62703-Q1819
Q62703-Q1820
Nur auf Anfrage lieferbar.
Available only on request.
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06260
1.8
1.2
29
27
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
5.7
5.1
Chip position
0.6
0.4
GEX06260
