Q62703-Q3839
| Model | Q62703-Q3839 |
| Description | Super SIDELED High-Current LED |
| PDF file | Total 4 pages (File size: 49K) |
| Chip Manufacturer | INFINEON |
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 485 P
Area not flat
0.6
0.4
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
5.0
4.2
Cathode
3.85
3.35
ø5.1
ø4.8
5.9
5.5
1.8
1.2
29
27
1.0
0.5
Chip position
0.6
0.4
fex06306
GEX06306
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
q
Enge Toleranz: Chipoberfläche/
Bauteiloberkante
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
q
Sehr plane Oberfläche
q
Gehäusegleich mit SFH 217
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
q
LWL
Features
q
GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q
Small tolerance: Chip surface to case
surface
q
Good spectral match to silicon
photodetectors
q
Plane surface
q
Same package as SFH 217
Applications
q
Light-reflection switches for steady and
varying intensity (max. 500 kHz)
q
Fibre optic transmission
Typ
Type
SFH 485 P
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q516
Gehäuse
Package
5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-
Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), plane violet-colored
transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing
2.54 mm (
1
/
10
’’), anode marking: short lead.
Semiconductor Group
1
1998-06-26
